Hoewel de Egan FET werd ontworpen en geoptimaliseerd als een power-switching-apparaat, vertoont het ook goede RF-kenmerken. De kleinste 200 V Egan ...

Eerder gepubliceerde artikelen toonden aan dat Egan Fets zich grotendeels gedragen, net als siliciumapparaten en kunnen worden geëvalueerd met beh...

Niet -gereguleerde prestaties in een gereguleerd ontwerp leveren een ongekende vermogensdichtheid.
Lage Qoss, nul QRR en lage QGD, samen met ...