Egan® FET -stuurprogramma's en lay -outoverwegingen
Bij het overwegen van poortaandrijfvereisten zijn de drie belangrijkste parameters voor egan FET's (1) de maximaal toegestane poortspanning, (2) de gate -drempelspanning en (3) de lichaamsdiode spanningsval.
Egan FET's verschillen van hun silicium -tegenhangers vanwege hun aanzienlijk snellere schakelsnelheden en hebben bijgevolg verschillende vereisten voor poortaandrijving, lay -out en thermisch beheer die allemaal interactief kunnen zijn.
Download deze whitepaper voor meer informatie.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Condensatoren, Halfgeleiders, koeling, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Egan® FET's in hoogfrequente resonerende con...
In dit whitepaper wordt egan FET -technologie toegepast in een hoogfrequente resonerende converter. Eerder werden de voordelen van Egan FET's in ge...
Egan® FET elektrische kenmerken
In dit artikel worden de basis elektrische kenmerken van egan FET's uitgelegd en vergeleken met silicium MOSFET's. Een goed begrip van de overeenko...
Verbeter de efficiëntie van DC-DC Flyback Co...
DC-DC-converterontwerpers kunnen lage kosten bereiken bij lage vermogensdichtheden met behulp van flyback-converters en verbeteringsmodus galliumni...
