Verbeter de efficiƫntie van DC-DC voorwaartse converter met Egan FET's
DC-DC-converterontwerpers kunnen een hogere vermogensdichtheid bereiken bij lagere vermogensniveaus met behulp van voorwaartse converters met synchrone rectificatie en galliumnitride-transistoren. Een zeer typische toepassing is een 26 W, 48 V tot 5 V, Power Over Ethernet Powered Device (POE-PD).
Een vereenvoudigde voorwaartse converterschema voor deze toepassing met behulp van Egan FET's en Linear Technology's LT1952In -conjunctie met de LTC3900 -synchrone gelijkrichtercontroller van de fabrikant aan de secundaire zijde.
Download deze whitepaper voor meer informatie.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieƫn:Halfgeleiders, Inductoren, Stroom


Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)

EganĀ® FET -stuurprogramma's en lay -outoverw...
Bij het overwegen van poortaandrijfvereisten zijn de drie belangrijkste parameters voor egan FET's (1) de maximaal toegestane poortspanning, (2) de...

EganĀ® FET Small Signal RF -prestaties
Hoewel de Egan FET werd ontworpen en geoptimaliseerd als een power-switching-apparaat, vertoont het ook goede RF-kenmerken. De kleinste 200 V Egan ...

Verbeter de efficiƫntie van DC-DC Flyback Co...
DC-DC-converterontwerpers kunnen lage kosten bereiken bij lage vermogensdichtheden met behulp van flyback-converters en verbeteringsmodus galliumni...