Verbeter de efficiëntie van DC-DC voorwaartse converter met Egan FET's
DC-DC-converterontwerpers kunnen een hogere vermogensdichtheid bereiken bij lagere vermogensniveaus met behulp van voorwaartse converters met synchrone rectificatie en galliumnitride-transistoren. Een zeer typische toepassing is een 26 W, 48 V tot 5 V, Power Over Ethernet Powered Device (POE-PD).
Een vereenvoudigde voorwaartse converterschema voor deze toepassing met behulp van Egan FET's en Linear Technology's LT1952In -conjunctie met de LTC3900 -synchrone gelijkrichtercontroller van de fabrikant aan de secundaire zijde.
Download deze whitepaper voor meer informatie.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Halfgeleiders, Inductoren, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Gallium nitride (GAN) technologieoverzicht
Gedurende meer dan drie decennia toonden de efficiëntie en kosten van energiebeheer en kosten gestage verbetering, omdat innovaties in Power MOSFE...
Egan® FET's in hoogfrequente resonerende con...
In dit whitepaper wordt egan FET -technologie toegepast in een hoogfrequente resonerende converter. Eerder werden de voordelen van Egan FET's in ge...
Egan® FET's en IC's voor 48 V-12 V Geregulee...
Niet -gereguleerde prestaties in een gereguleerd ontwerp leveren een ongekende vermogensdichtheid.
Lage Qoss, nul QRR en lage QGD, samen met ...
