Egan® FET's voor het volgen van envelop
Galliumnitride-transistoren kunnen worden gebruikt om de efficiëntie van DC-DC-conversie te verbeteren.
In deze whitepaper kijken we naar een nieuwe applicatie die wordt mogelijk gemaakt door galliumnitride -technologie die moeilijk te implementeren is geweest met behulp van traditionele silicium MOSFET Power -apparaten.
Download deze whitepaper voor meer informatie.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Communicatie, Componenten, Condensatoren, koeling, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Verbeter de efficiëntie van DC-DC voorwaarts...
DC-DC-converterontwerpers kunnen een hogere vermogensdichtheid bereiken bij lagere vermogensniveaus met behulp van voorwaartse converters met synch...
Egan® FET's in draadloze stroomoverdrachtsys...
De populariteit van draadloze energieoverdracht is de afgelopen jaren toegenomen en met name voor toepassingen die gericht zijn op het opladen van ...
Verbeter de efficiëntie van DC-DC Flyback Co...
DC-DC-converterontwerpers kunnen lage kosten bereiken bij lage vermogensdichtheden met behulp van flyback-converters en verbeteringsmodus galliumni...
