Egan® FET's voor het volgen van envelop
Galliumnitride-transistoren kunnen worden gebruikt om de efficiëntie van DC-DC-conversie te verbeteren.
In deze whitepaper kijken we naar een nieuwe applicatie die wordt mogelijk gemaakt door galliumnitride -technologie die moeilijk te implementeren is geweest met behulp van traditionele silicium MOSFET Power -apparaten.
Download deze whitepaper voor meer informatie.
Lees verder
Door dit formulier in te dienen gaat u hiermee akkoord Efficient Power Conversion Corporation (EPC) contact met u opnemen marketinggerelateerde e-mails of telefonisch. U kunt zich op elk moment afmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) websites en communicatie is onderworpen aan hun privacyverklaring.
Door deze bron aan te vragen gaat u akkoord met onze gebruiksvoorwaarden. Alle gegevens zijn beschermd door onzePrivacyverklaring. Als u nog vragen heeft, kunt u mailen dataprotection@techpublishhub.com
Gerelateerde categorieën:Communicatie, Componenten, Condensatoren, koeling, Stroom
Meer bronnen van Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Egan® FET elektrische kenmerken
In dit artikel worden de basis elektrische kenmerken van egan FET's uitgelegd en vergeleken met silicium MOSFET's. Een goed begrip van de overeenko...
Benchmark DC-DC-conversie-efficiëntie met Eg...
Voor toepassingen die een hoge vermogensdichtheid en hoog vermogen vereisen, maar geen elektrische isolatie vereisen, is de Buck Converter al vele ...
Het selecteren van Egan® FET optimale onresi...
Eerder gepubliceerde artikelen toonden aan dat Egan Fets zich grotendeels gedragen, net als siliciumapparaten en kunnen worden geëvalueerd met beh...
